AOWF412

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的心脏往往决定了整个系统的成败。今天，我们为您带来一个能够重塑您产品性能格局的卓越选择AOWF412。这款来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的N沟道功率MOSFET，以其100V的耐压能力和高达30A（Tc）的连续漏极电流，为您打开了通往更高功率密度与更优热管理的大门。它不仅仅是一个电子元件，更是您实现设计突破、赢得市场竞争的可靠伙伴。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）中，AOWF412凭借其低至15.8毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让电能转换更加高效，直接转化为更低的运行温度和更长的设备寿命。在电机驱动或DC-DC转换器等应用中，其优异的栅极电荷（Qg）特性确保了快速、干净的开关动作，有效减少开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的系统运行如丝般顺滑。无论是工业自动化设备、消费类电源适配器，还是需要稳健功率处理的汽车电子周边，这颗芯片都能游刃有余，在-55°C至175°C的严苛结温范围内稳定工作，赋予您的产品无与伦比的适应性与可靠性。

选择AOWF412，就是选择了一份经得起验证的品质承诺。它隶属于AOS成熟的SDMOS产品系列，意味着您将获得业界领先的MOSFET技术与一致的卓越性能。其高达33W（Tc）的功率耗散能力，结合通孔安装的便利性，让您的散热设计更加从容，系统集成度更高。当您寻求一个能同时满足高性能、高可靠性和出色性价比的解决方案时，AOWF412无疑是您的不二之选。我们专业的AOS代理团队随时准备为您提供全面的技术支持与供应链服务，助您将这颗强大的“心脏”快速、稳妥地融入您的下一个伟大设计中，共同开启高效能源管理的新篇章。

• 型号:AOWF412
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 7.8A/30A
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.8A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3220 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），33W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262F
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOWF412的官网价格：1000:$1.21968，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。