




AON7410L_101
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-DFN(3x3)
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 9.5A/24A 8DFN
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AON7410L_101参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们向您隆重介绍一款在紧凑封装内蕴藏强大能量的解决方案AON7410L_101。它不仅仅是一个MOSFET,更是您提升系统性能、优化空间布局、实现高效能转换的得力助手。凭借其出色的电气特性和坚固的物理设计,它能够帮助您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出,无论是追求更长的续航、更快的响应,还是更稳定的运行,它都是您值得信赖的伙伴。
想象一下,在您的便携式设备、负载开关、电机驱动或DC-DC转换器中,需要一颗能够高效、精准控制电流通断的“心脏”。AON7410L_101正是为此而生。其30V的漏源电压和高达24A(Tc)的连续漏极电流能力,让它轻松应对各种中低压、大电流的应用挑战。无论是智能手机中管理电池供电,还是无人机中驱动微型电机,亦或是服务器电源模块中进行高效的功率分配,它都能以极低的导通损耗(仅20毫欧)和快速的开关特性,确保能量以最高的效率传递,最大限度地减少发热和能量浪费,让您的终端产品运行更冷静、更持久。
那么,在众多选择中,为何要坚定地选择AON7410L_101?答案在于它无与伦比的综合价值。首先,其4.5V的低驱动电压门槛,意味着它能够与主流微控制器和逻辑电路完美兼容,让您的设计更简单,系统集成更顺畅。其次,超低的栅极电荷(仅12nC)和输入电容,确保了极快的开关速度,这对于高频开关应用至关重要,能显著提升整体系统的动态响应和效率。再者,采用先进的8-DFN(3x3)封装,在提供卓越散热性能(功率耗散高达20W Tc)的同时,占据了极小的PCB面积,是空间敏感型设计的理想选择。其宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)更是赋予了产品无与伦比的环境适应性和可靠性。选择它,就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与稳定品质。如需获取官方正品与全面技术支持,我们推荐您联系权威的AOS总代理,确保您的项目获得原厂级的品质保障与服务。
- 制造商产品型号:AON7410L_101
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 9.5A/24A 8DFN
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):9.5A(Ta),24A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):20 毫欧 @ 8A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):12nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):660pF @ 15V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),20W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-DFN(3x3)
- AON7410L_101的官网价格:停产,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























