AOY66923

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心往往能彻底改变您的设计格局。今天，我们为您带来一款性能卓越的功率开关解决方案AOY66923。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是AOS公司AlphaSGT技术家族的杰出代表，以其100V的耐压能力和高达58A（Tc）的连续漏极电流，为您的高功率应用注入澎湃动力。想象一下，在紧凑的TO-251B封装内，蕴藏着低至11毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，这意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

这颗芯片的舞台无比广阔。无论是需要高效能量转换的服务器电源、通信基站电源，还是对动态响应要求严苛的电机驱动、电动工具，AOY66923都能游刃有余。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在严苛环境下的稳定运行，从工业自动化设备到新能源车载充电器，它都是值得信赖的“能量阀门”。当您在设计下一代的DC-DC转换器、同步整流电路或负载开关时，选择它，就是选择了经得起考验的性能与耐久性。

为什么众多工程师将AOY66923作为首选？答案在于它卓越的价值平衡。它提供了专业级应用所需的强劲电流处理能力和坚固的可靠性，同时其优化的动态参数（如Qg和Ciss）有助于简化您的驱动电路设计，降低整体系统成本。选择AOS原厂品质，就是选择了一份安心。若您正在寻找可靠的技术支持与供货渠道，我们的合作伙伴AOS中国代理将为您提供全方位的服务，从选型指导到供应链保障，助力您的创意从蓝图变为现实。立即体验AOY66923，让它成为您下一个成功产品的强大心脏！

• 型号:AOY66923
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251B
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 16.5/58A TO251B
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.5A（Ta），58A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1725 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），73W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251B
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOY66923的官网价格：1:$2.08000，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。