AON7702B

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域，一颗卓越的功率器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们隆重向您介绍一款在紧凑封装内蕴藏强大能量的解决方案AON7702B。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统性能、优化空间布局、实现成本效益的得力伙伴。凭借其出色的电气特性和稳健的设计，它能够为您的应用注入澎湃动力，让每一次开关都精准高效，让每一份能量都物尽其用。

想象一下，在您的同步整流、电机驱动、负载开关或DC-DC转换电路中，AON7702B正发挥着核心作用。它那高达30V的漏源电压和13.5A（环境温度下）的连续电流能力，足以从容应对多种中低压、大电流场景的严苛挑战。无论是为便携设备提供高效的能量转换，还是在工业控制中驱动精密电机，其低至9.5毫欧的导通电阻（Rds(On)）都能显著降低导通损耗，这意味着更少的发热、更高的系统效率和更长的运行时间。其内置的肖特基体二极管进一步优化了反向恢复特性，提升了开关速度与可靠性，让您的系统运行如丝般顺滑。

为什么众多工程师在面临选型时，会青睐这颗来自AOS SRFET家族的明星产品？答案在于它卓越的综合价值。首先，其4.5V的低驱动电压门槛和仅24nC的低栅极电荷，意味着它极易被驱动，能够与主流控制器完美匹配，简化您的驱动电路设计，降低整体BOM成本。其次，3x3mm的紧凑DFN封装在节省宝贵PCB空间的同时，通过优化的热设计实现了高达23W（壳温下）的功率耗散能力，确保了在高负载下的稳定运行。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，更是赋予了它应对极端环境挑战的底气。当您需要这样一颗性能与尺寸完美平衡的器件时，通过值得信赖的AOS代理商获取正品，无疑是保障项目顺利推进、获得原厂技术支持的明智之选。选择AON7702B，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与面向未来的高效能。

• 型号:AON7702B
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 13.5A/20A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Ta），20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:810 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），23W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• AON7702B的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。