




AO3413L
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:SOT-23-3
- 技术参数:MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
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AO3413L参数详情:
在追求极致能效与紧凑设计的电子世界中,一颗可靠且性能卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们向您隆重介绍AO3413L来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的一款经典P沟道MOSFET。虽然它已进入停产状态,但其成熟稳定的性能、经过市场长期验证的可靠性,以及极具竞争力的性价比,使其在众多存量项目、成本敏感型应用以及追求稳定供应链的设计中,依然散发着不可替代的魅力。选择它,意味着您选择了一份历经考验的安心与高效。
想象一下,在您的便携式设备、电池管理系统或负载开关电路中,需要一颗能够高效控制电源通断的“守门员”。AO3413L正是为此而生。它凭借20V的漏源电压和3A的连续漏极电流能力,轻松应对各种低压大电流场景。其P沟道特性简化了驱动电路,特别适合用于电源路径管理,例如在智能手机、平板电脑中实现优雅的电源开关和负载保护。其微小的SOT-23-3封装,如同一个隐形的能量调度大师,在寸土寸金的PCB板上为您节省宝贵空间,让您的设计更加纤薄、紧凑。无论是消费电子、通讯模块还是工业控制板卡,它都能无缝融入,成为提升系统整体可靠性的坚实基石。
那么,为何在众多选择中,AO3413L依然值得您的青睐?答案在于其卓越的性能参数与无与伦比的实用价值。其导通电阻(RdsOn)在4.5V驱动下低至97毫欧,这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生,直接提升了系统的能效和续航时间。1.8V的低驱动电压门槛,使其能与现代低功耗微处理器完美配合,实现高效、快速的开关控制。同时,其宽广的工作温度范围(-55°C至150°C)确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作。对于正在维护经典设计或寻求高性价比替代方案的工程师而言,这颗芯片代表着成熟、可靠与成本效益的黄金平衡点。如需获取这颗经典器件的库存或技术支持,您可以联系专业的AOS中国代理,他们能为您提供全面的支持与服务。
- 型号:AO3413L
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):97 毫欧 @ 3A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):6.1 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):540 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.4W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:3-SMD,SOT-23-3 变式
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