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AOTF5N100

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220F
  • 技术参数:MOSFET N-CH 1000V 4A TO220-3F
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AOTF5N100参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界,一颗强大的心脏往往决定了整个系统的成败。今天,我们为您带来一款在高压、高可靠性领域表现卓越的功率器件AOTF5N100。它不仅仅是一个组件,更是您提升产品性能、确保系统稳定运行的坚实保障。来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的尖端技术,赋予了它高达1000V的漏源电压和4A的连续漏极电流能力,这意味着在严苛的高压环境下,它依然能游刃有余,为您提供充沛而稳定的功率输出,让设计从此告别性能瓶颈。

想象一下,在工业电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器或高效开关电源等关键应用中,系统的稳定与高效直接关系到生产力和用户体验。AOTF5N100正是为此而生。其N沟道MOSFET结构,结合仅4.2欧姆的低导通电阻(在10V驱动电压下),能显著降低导通损耗,提升整体能效。无论是应对频繁的开关动作,还是承受持续的高压工作,它都能保持低温、低功耗的优异表现。其坚固的TO-220-3F封装和宽达-55°C至150°C的工作结温范围,更是确保了它在各种恶劣环境下的长期可靠性,让您的产品无惧挑战,持久运行。

选择AOTF5N100,就是选择了一份安心与超越。它拥有极低的栅极电荷(仅23nC)和输入电容,这意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗,让您的系统响应更加敏捷,效率再上新台阶。同时,其优化的Vgs(th)阈值电压和高达±30V的栅源电压耐受能力,提供了更宽的驱动安全余量和设计灵活性。当您寻求一个能同时满足高性能、高可靠性和出色性价比的解决方案时,AOTF5N100无疑是您的理想之选。如需获取样品、技术资料或采购支持,欢迎联系我们的AOS中国代理,专业的团队将为您提供全方位的服务,助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

  • 型号:AOTF5N100
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-220F
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO220-3F
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:最后售卖
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):1000 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.2 欧姆 @ 2.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):23 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1150 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):42W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220F
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • AOTF5N100的官网价格:1000:$1.21968,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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