




AO4202_120
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-SOIC
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AO4202_120参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们向您隆重介绍AO4202_120这款由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)精心打造的N沟道MOSFET,以其卓越的性能参数,正成为众多工程师在30V中低压应用中的首选。它不仅仅是一个组件,更是您提升系统能效、增强产品稳定性的强大引擎。
想象一下,在您的电源管理模块、电机驱动电路或负载开关中,需要一颗能够高效、快速切换的“心脏”。AO4202_120正是为此而生。其高达19A的连续漏极电流承载能力和低至5.3毫欧的导通电阻,意味着在开关过程中能量损耗被降至极低,热量产生更少,系统运行更加凉爽高效。无论是驱动小型电机、管理电池充放电,还是在DC-DC转换器中担任核心开关角色,它都能游刃有余,确保能量精准、快速地传递,让您的终端设备响应更迅捷,续航更持久。
选择AO4202_120,就是选择了一份经得起考验的可靠性。它采用成熟的8-SOIC表面贴装封装,便于自动化生产,提升您的制造效率。其宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C)确保了它在严苛环境下依然稳定工作,从消费电子到工业控制,适应性极强。虽然该型号目前已停产,但其出色的性能指标和广泛的市场验证,使其在特定库存和替代方案讨论中仍具有重要参考价值。对于正在寻找高性能、高性价比解决方案的您,通过值得信赖的AOS中国代理,依然可以获取相关的技术支持和产品信息,为您的设计找到最合适的动力核心。
让AO4202_120的强大性能融入您的下一个设计。它那快速的开关特性(得益于较低的栅极电荷和输入电容)、集成的体二极管所带来的设计便利性,以及优异的散热表现,都将直接转化为您产品的竞争优势更低的能耗、更小的体积、更长的寿命。拥抱这份来自AOS的功率解决方案,为您的创新注入高效可靠的活力。
- 制造商产品型号:AO4202_120
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):19A(Ta)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5.3 毫欧 @ 19A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):35nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2200pF @ 15V
- FET功能:肖特基二极管(体)
- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-SOIC
- AO4202_120的官网价格:停产,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























