




AOTF10T60P
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220F
- 技术参数:MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOTF10T60P参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天,我们为您隆重介绍来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的明星产品AOTF10T60P。这款N沟道功率MOSFET,以其600V的卓越耐压能力和高达10A的连续导通电流,为您的高压、高功率应用场景注入澎湃而稳定的动力源泉。它不仅仅是一个晶体管,更是您提升产品性能、优化系统设计的得力伙伴,让每一次能量转换都更加高效、安全。
想象一下,在您精心设计的开关电源、电机驱动或功率因数校正(PFC)电路中,AOTF10T60P正扮演着能量“交通枢纽”的核心角色。它凭借仅700毫欧的低导通电阻(Rds(on)),在导通时最大限度地减少了能量损耗,将更多电能高效地输送到负载端,直接帮助您降低系统温升,提升整体效率。其优化的栅极电荷(Qg)特性,意味着它能够被快速驱动,实现更快的开关速度,这对于追求高频率、高动态响应的现代电源设计至关重要。无论是工业自动化设备中驱动电机平稳运转,还是数据中心服务器电源中实现高效节能,这颗芯片都能游刃有余,确保系统在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作。
为何众多工程师在面临高压开关选型时,会青睐于AOTF10T60P?答案在于它带来的综合价值远超一个简单的参数表。TO-220-3F的经典封装,提供了优异的散热性能和便捷的通孔安装方式,大大简化了您的生产流程并增强了可靠性。高达43W的功率耗散能力,赋予了它应对瞬时过载和持续高负荷的坚实底气。选择AOTF10T60P,就是选择了一份经过市场验证的卓越品质与性能保障。我们作为值得信赖的AOS授权代理,不仅为您提供原装正品,更能提供专业的技术支持与供应链服务,确保您从设计到量产的每一步都顺畅无忧。让这颗高效可靠的功率开关,成为您下一代产品在市场竞争中脱颖而出的秘密武器。
- 型号:AOTF10T60P
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-220F
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):700毫欧 @ 5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):40 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1595 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):43W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220F
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- AOTF10T60P的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























