AO4262E

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域，一颗强大的“心脏”往往能决定整个系统的成败。今天，我们向您隆重介绍来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的明星产品AO4262E。这款采用先进AlphaSGT技术的N沟道MOSFET，以其高达60V的漏源电压和16.5A的连续漏极电流能力，为您带来前所未有的功率处理与控制体验。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品性能、确保稳定运行、并最终赢得市场的关键伙伴。

想象一下，在您的电源管理系统、电机驱动控制或高效DC-DC转换器中，AO4262E正扮演着核心角色。它卓越的导通电阻（低至6.5毫欧）意味着更低的传导损耗，直接转化为更少的发热和更高的整体效率，让您的设备在长时间高负荷运行下依然保持冷静与稳定。无论是工业自动化设备中需要精准控制的电机，还是消费类电子产品里对空间和散热极为苛刻的紧凑型电源模块，这颗芯片都能轻松胜任，将强大的功率与精密的控制完美结合。

选择AO4262E，就是选择了一份安心与远见。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，大大提升了终端产品的环境适应性和使用寿命。同时，优化的栅极电荷和输入电容特性，使得开关速度更快、驱动更简易，有效降低了开关损耗，让您的系统设计更高效、响应更迅捷。当您需要可靠、高性能的功率解决方案时，AOS总代理是您获取正品芯片与专业技术支持的首选。让AO4262E成为您下一个成功项目的基石，释放无限潜能，创造更大价值。

• 型号:AO4262E
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 16.5A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1652 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• AO4262E的官网价格：3000:$0.50037，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。