




AON7436
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN-EP(3x3)
- 技术参数:MOSFET N-CH 20V 9A/23A 8DFN
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AON7436参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电子设计世界里,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们向您隆重介绍AON7436,这颗由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)精心打造的N沟道MOSFET,它不仅是一个组件,更是您提升系统性能、释放设计潜能的强大引擎。凭借其出色的电气特性和坚固的物理设计,它正等待着在您的下一个创新项目中大放异彩。
想象一下,在您的便携式设备、负载开关或DC-DC转换器中,需要一颗能够高效、精准控制功率通断的“心脏”。AON7436正是为此而生。它高达20V的漏源电压和卓越的电流处理能力(在特定条件下可达23A),让它在应对瞬间大电流时游刃有余,确保系统稳定运行。其极低的导通电阻(最低仅19毫欧)意味着更少的能量以热量的形式被浪费,直接转化为更长的电池续航和更低的系统温升,这对于空间紧凑、散热要求严苛的现代电子产品而言,价值无可估量。无论是智能手机的电源管理,还是无人机电调的驱动部分,它都能轻松胜任,成为您可靠的能量守门员。
选择AON7436,就是选择了一份从容与信心。其1.8V的低驱动电压门槛,使其能够完美兼容当今主流的低电压逻辑电路,让您的设计更加简化,无需复杂的电平转换。超低的栅极电荷和输入电容,确保了极快的开关速度,显著降低了开关损耗,让整个系统的效率再上一个台阶。表面贴装的8-DFN(3x3)紧凑封装,不仅节省了宝贵的PCB空间,其优异的散热性能更能保障芯片在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作,适应从消费电子到工业环境的多样化挑战。当您寻求高品质的功率解决方案时,与值得信赖的AOS代理合作,无疑是获取正品保障和技术支持的最佳途径。
尽管该型号已进入停产状态,但其成熟的设计、经过市场验证的可靠性,以及在特定库存和后续替代方案中的可获得性,依然使其在许多经典设计、备品备件或对成本与性能有特定平衡要求的项目中,保持着独特的吸引力和实用价值。它代表了一个时代的技术结晶,承载着AOS对性能与品质的不懈追求。让AON7436的卓越性能,成为您产品差异化优势中坚实而高效的一环。
- 型号:AON7436
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-DFN-EP(3x3)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 20V 9A/23A 8DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A(Ta),23A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):19 毫欧 @ 9A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):15 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):630 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),16.7W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-DFN-EP(3x3)
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- AON7436的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























