AO8804_100

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域，一颗出色的功率器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们向您隆重介绍AO8804_100，这颗来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的经典双N沟道MOSFET阵列，以其卓越的性能和稳定的品质，持续为各类高效能应用注入强劲动力。即便处于停产状态，其成熟的设计和经过市场长期验证的可靠性，依然是许多经典方案和持续生产项目的明智之选，库存充足，价值永恒。

想象一下，在您的便携式设备、电源管理模块或电机驱动电路中，AO8804_100正默默发挥着核心作用。其20V的漏源电压和逻辑电平门驱动特性，使其成为电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关等应用的理想选择。极低的导通电阻（仅13毫欧@8A，10V）意味着更少的能量损耗和更低的发热，直接提升了终端产品的续航能力和整体能效。无论是需要精密控制的消费电子产品，还是要求严苛的工业模块，它都能轻松胜任，确保系统运行稳定流畅。

选择AO8804_100，就是选择了一份经过时间淬炼的安心与高效。其紧凑的8-TSSOP表面贴装封装，为您的PCB布局节省了宝贵空间，助力产品实现更小巧、更集成的设计。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）赋予了它应对各种环境挑战的强悍能力。当您寻求稳定可靠的供应链与技术支持时，请务必通过官方授权的AOS代理进行采购，以确保获得原装正品和专业的售前售后服务。这颗芯片承载的不仅是AOS先进的半导体技术，更是对每一个电路设计细节的极致追求，是让您的产品在竞争中脱颖而出的秘密武器。

• 制造商产品型号：AO8804_100
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 20V
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 N 沟道（双）共漏
• FET功能：逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：13 毫欧 @ 8A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：17.9nC @ 4.5V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1810pF @ 10V
• 功率-最大值：1.5W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• AO8804_100的官网价格：停产，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。