AOB11C60

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心开关器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们为您隆重介绍一款在众多严苛应用中久经考验的功率开关解决方案AOB11C60。它不仅仅是一个参数表上的型号，更是您提升系统性能、简化设计挑战的得力伙伴。凭借其高达600V的耐压能力和11A的连续电流处理能力，这颗N沟道MOSFET为您的高压大电流应用场景提供了坚实的保障，让能量转换过程更加顺畅高效。

想象一下，在您熟悉的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制或是工业逆变器中，AOB11C60都能大显身手。其TO-263（DPak）的经典封装形式，兼顾了出色的散热性能与自动化生产的便利性，非常适合对空间和热管理有要求的紧凑型设计。无论是应对工业环境的持续运行，还是满足消费电子对能效的苛刻标准，它都能稳定担当起电路中的“高速开关”角色，有效降低导通损耗，提升整体系统的能源利用率，直接为您的终端产品注入强劲的竞争力。

为什么在众多选择中，AOB11C60值得您的青睐？答案在于它背后卓越的价值平衡。AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）作为知名的半导体制造商，赋予了这款器件可靠的品质基因。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用验证，使其成为特定升级或延续性项目的稳健之选。其440毫欧的低导通电阻（在特定条件下）意味着更少的热量产生和更高的效率；高达278W的功率耗散能力确保了其在重负载下的稳定性。当您需要为现有产品线寻找可靠、性能经过时间考验的元件时，联系专业的AOS代理商，获取关于库存、替代方案或技术支持的精准服务，将是您明智的决策。选择AOB11C60，就是选择了一份经过市场淬炼的安心与高效。

• 型号:AOB11C60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:440 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:278W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB11C60的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。