AOD1N60

在追求更高能效与可靠性的电力电子世界里，一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们为您隆重介绍来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的明星产品AOD1N60。它不仅仅是一个参数表上的型号，更是您提升系统性能、简化设计挑战的得力伙伴。凭借其高达600V的漏源电压和优化的导通特性，AOD1N60为您带来了前所未有的稳定与高效，让您的电源设计在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得先机。

想象一下，在您紧凑的开关电源、高效的LED驱动或是精密的电机控制电路中，需要一颗既能承受高压冲击，又能快速响应、损耗极低的MOSFET。这正是AOD1N60大显身手的舞台。其N沟道设计和TO-252（D-Pak）表面贴装封装，完美适配现代高密度PCB布局，让您在有限的板载空间内实现强大的功率处理能力。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业设备中的功率转换单元，它都能游刃有余，确保系统在-50°C至150°C的宽广温度范围内稳定运行，为您的终端产品注入持久的生命力。

那么，在众多同类产品中，为何要选择AOD1N60？答案在于它卓越的综合价值。其1.3A的连续漏极电流与仅9欧姆的低导通电阻（在10V驱动下），意味着更低的传导损耗和更高的整体效率，直接为您节省能源成本。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，减少了开关损耗，让您的系统运行更“冷静”。更重要的是，选择AOD1N60，就是选择了AOS在功率半导体领域深厚的专业积淀和可靠的质量保障。如果您正在寻找值得信赖的供应渠道，遍布全球的AOS代理网络将为您提供从技术支援到稳定供货的全方位服务，让您的产品开发之旅畅通无阻。立即采用AOD1N60，让它成为您下一个成功设计的强大引擎！

• 型号:AOD1N60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 650mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD1N60的官网价格：1:$0.99000|2500:$0.24427，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。