AOB12N50L

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心器件往往能成为您产品脱颖而出的关键。今天，我们为您隆重介绍来自AOS的卓越之作AOB12N50L。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您应对高电压、大电流挑战的得力伙伴，它以高达500V的漏源电压和12A的连续漏极电流承载能力，为您构筑起坚固的电力防线，让每一次开关都精准而有力。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或高效照明系统中，AOB12N50L正发挥着核心作用。它卓越的导通电阻特性，在10V驱动电压下，仅需520毫欧的极低阻抗，这意味着更少的能量在器件内部转化为热量，直接为您带来更高的系统效率和更低的运行温度。无论是工业自动化设备中需要稳定驱动的电机，还是数据中心里对能效锱铢必较的服务器电源，这颗芯片都能轻松驾驭，确保系统在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定运行，无惧严苛环境考验。

选择AOB12N50L，就是选择了一份安心与远见。其采用经典的TO-263（DPak）表面贴装封装，不仅提供了优异的散热性能，支持高达250W的功率耗散，更便于现代化的自动化生产，提升您的制造效率。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，整体性能再上一个台阶。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的AOS中国代理团队始终是您坚实的后盾，为您提供从选型到量产的全方位服务。让AOB12N50L成为您下一个成功产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:AOB12N50L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:520 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1633 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB12N50L的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。