




AON6810
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:8-DFN-EP(5x6)
- 技术参数:MOSFET 2N-CH 30V 25A 8DFN
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AON6810参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电力电子世界,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们向您隆重介绍一款能够重新定义您对功率密度与性能认知的明星产品AON6810。它不仅仅是一个MOSFET,更是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)尖端技术的结晶,专为应对严苛应用挑战而生,旨在让您的设计脱颖而出,赢得市场先机。
想象一下,在您的服务器电源、高性能计算设备、或高密度DC-DC转换模块中,需要处理大电流、高频率的开关任务,同时还要严格控制发热与空间占用。AON6810正是为此而来。它集成了两个高性能的N沟道MOSFET,采用先进的共漏极配置,为您提供了无与伦比的集成度与设计灵活性。无论是用于同步整流、电机驱动,还是负载开关,这颗芯片都能以高达25A的连续电流承载能力和低至4.4毫欧的超低导通电阻,将功率损耗降至最低,让系统运行得更凉爽、更持久。其逻辑电平门驱动特性,意味着它能与当今主流的微控制器和数字电源芯片无缝对接,让您的控制环路设计前所未有的简洁高效。
选择AON6810,就是选择了一份对卓越性能的坚定承诺。其30V的漏源电压和宽广的-55°C至150°C结温工作范围,确保了它在各种复杂环境下的稳定性和鲁棒性。极低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)显著降低了开关损耗,提升了系统整体效率,尤其在高频应用中优势尽显。紧凑的8-DFN封装不仅节省了宝贵的PCB空间,其裸露焊盘设计还提供了卓越的热性能,帮助热量快速散发,让您的产品在长时间满负荷运行时依然保持冷静。当您寻求可靠、高性能的功率解决方案时,通过官方授权的AOS总代理获取正品AON6810,无疑是保障供应链稳定与产品品质的最佳途径。让它成为您下一个爆款产品的强大“心脏”,开启能效新纪元。
- 型号:AON6810
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-DFN-EP(5x6)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 25A 8DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 N 沟道(双)共漏
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.4 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):34nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1720pF @ 15V
- 功率 - 最大值:4.1W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SMD,扁引线裸焊盘
- 供应商器件封装:8-DFN-EP(5x6)
- AON6810的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























