




AOB2618L
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-263(D2PAK)
- 技术参数:MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO263
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AOB2618L参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电力电子世界,一颗强大的“心脏”往往决定了整个系统的成败。今天,我们为您隆重介绍一款在众多严苛应用中久经考验的功率开关解决方案AOB2618L。这款由业界领先的AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)精心打造的N沟道MOSFET,以其卓越的性能参数,正成为工程师们应对高功率密度挑战时的信赖之选。它不仅仅是一个电子元件,更是您提升产品竞争力、确保系统稳定运行的强大引擎。
想象一下,在那些需要高效能量转换与精准控制的场景中,AOB2618L正发挥着核心作用。无论是工业自动化设备中驱动电机的伺服驱动器,还是通信基站里不可或缺的开关电源(SMPS),亦或是新能源领域如太阳能逆变器的DC-DC转换模块,甚至是电动工具和汽车辅助系统中的高电流开关,都能见到它的身影。其高达60V的漏源电压(Vdss)和惊人的23A(Tc)连续漏极电流能力,意味着它能轻松驾驭中高功率级别的开关任务,确保能量在转换过程中损耗更低、传递更高效。TO-263(DPak)的封装形式,不仅提供了优异的散热性能,也使其能够稳固地安装在PCB上,适应自动化表面贴装生产,为您的量产保驾护航。
那么,在众多同类产品中,为何独独青睐AOB2618L?答案藏在它的细节里。极低的导通电阻(典型值19毫欧@10V)意味着更小的导通损耗,直接转化为更高的系统效率和更少的热量产生,让您的设备运行更凉爽、更持久。优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性,确保了快速且干净的开关动作,这对于高频开关应用至关重要,能有效减少开关损耗和电磁干扰(EMI)。宽广的工作温度范围(-55°C ~ 175°C)赋予了它无与伦比的环境适应性,无论是严寒还是酷热,都能稳定工作。虽然该型号目前已处于停产状态,但其卓越的设计和可靠性使其在库存和特定应用领域依然拥有巨大价值。对于正在寻找成熟、可靠、高性能MOSFET解决方案的您,通过值得信赖的AOS中国代理获取相关库存或替代建议,无疑是实现产品升级与成本优化的明智之举。选择AOB2618L,就是选择了一份经过验证的性能承诺,让您的设计在效率、可靠性和功率处理能力上全面领先。
- 型号:AOB2618L
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-263(D2PAK)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO263
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A(Ta),23A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):19 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):20 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):950 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),41.5W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263(D2PAK)
- 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- AOB2618L的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























