




AO4407
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-SOIC
- 技术参数:MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
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AO4407参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗出色的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍AO4407来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的明星级P沟道MOSFET。它不仅仅是一个组件,更是您提升系统性能、简化设计流程的强大引擎。凭借其卓越的电气特性和坚固的物理设计,AO4407能够为您的电源管理、负载开关等关键电路注入澎湃而稳定的动力,让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出,赢得用户的持久信赖。
想象一下,在您的便携式设备、电池管理系统或分布式电源架构中,需要一颗能够高效、精准地控制电源通断的“智能开关”。这正是AO4407大显身手的舞台。其30V的漏源电压和高达12A的连续漏极电流,让它轻松应对各种中低压、大电流的应用场景,无论是为子系统供电,还是实现安全的负载断开,都游刃有余。更令人印象深刻的是,它在20V驱动电压下,导通电阻低至惊人的13毫欧,这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生,直接为您带来了更高的系统效率和更长的电池续航时间。这颗芯片就像一位不知疲倦的守门人,确保能量以最小的损失、最快的速度送达需要的地方。
那么,在众多选择中,为何AO4407能成为您的明智之选?答案在于它对设计细节的深刻洞察与平衡。极低的栅极电荷(36nC)和输入电容,意味着它可以用更小的驱动电流快速开启和关闭,显著降低了开关损耗,让您的系统运行得更快、更凉爽。宽广的工作温度范围(-55°C至150°C)则赋予了它无与伦比的环境适应性,确保从严寒到酷暑,从消费电子到工业环境,性能始终如一。其表面贴装的8-SOIC封装,兼顾了优异的散热能力和紧凑的PCB空间占用,让您的布局设计更加灵活高效。选择AO4407,就是选择了一份经过市场验证的可靠性与性能保障。如需获取官方正品与专业技术支持,我们推荐您联系AOS总代理,确保您的项目获得原厂级的品质与服务。
尽管该型号目前已处于停产状态,但其经典的设计和出色的性能参数,依然在诸多现有设计和备件需求中发挥着不可替代的价值。它代表了一个时代对功率密度与效率的不懈追求,其设计理念至今仍具启发性。对于寻求高性价比、高可靠性解决方案的工程师而言,深入了解AO4407的特性,无疑能为未来的产品选型和设计优化积累宝贵的经验。让我们携手这颗曾经的功勋芯片,继续挖掘其在特定应用中的巨大潜力,为创造更卓越的电子产品贡献力量。
- 型号:AO4407
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):13 毫欧 @ 12A,20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):36 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2600 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154\\
- AO4407的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























