AOB418

在追求极致效率与可靠性的电力电子领域，每一次选择都关乎产品的核心性能与市场竞争力。今天，我们为您带来一款能够重新定义功率密度的革新之作AOB418。这款来自AOS的N沟道MOSFET，以其卓越的电气特性和坚固的封装设计，正成为工程师们在设计高功率、高效率系统时的信心之选。它不仅是一颗元器件，更是您释放产品潜能、构建性能壁垒的关键钥匙。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或新能源车载充电器中，需要一颗能够承受100V高压、持续通过高达105A电流的“心脏”。这正是AOB418大显身手的舞台。其极低的9.7毫欧导通电阻，意味着在能量转换过程中，损耗被大幅削减，热量被有效控制，让您的系统运行得更“冷静”、更持久。无论是面对严苛的工业环境，还是追求轻薄紧凑的消费电子设计，它都能提供稳定而强大的功率输出，确保您的终端设备在任何工况下都保持高效运转。

为什么越来越多的设计团队将目光投向AOB418？答案在于它带来的综合价值提升。选择它，意味着您选择了更低的系统温升和更高的整体能效，这直接转化为产品更长的使用寿命和更优的能耗评级。其采用经典的TO-263（D2Pak）封装，不仅提供了出色的散热能力，也兼容成熟的自动化贴装工艺，让您的生产流程高效且可靠。当您需要为项目寻找这样一颗性能与可靠性兼备的功率器件时，通过值得信赖的AOS中国代理进行采购，不仅能确保获得原厂正品和完整的技术支持，还能享受到便捷的本地化服务，让您的创新之路再无后顾之忧。让AOB418成为您下一个成功产品的强大基石，共同开启高效能源管理的新篇章。

• 制造商产品型号：AOB418
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK
• 系列：SDMOS
• FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
• FET 功能：标准
• 漏源极电压 (Vdss)：100V
• 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9.5A（Ta），105A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：9.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：83nC @ 10V
• 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5200pF @ 50V
• 功率 - 最大值：2.1W
• 安装类型：表面贴装
• 封装/外壳：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
• 供应商器件封装：TO-263（D2Pak）
• AOB418的官网价格：4.39，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。