




AO3162
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:SOT-23A-3
- 技术参数:MOSFET N-CH 600V 34MA SOT23
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AO3162参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电子设计领域,一颗卓越的功率器件往往是点亮整个系统的关键。今天,我们向您隆重介绍来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的明星产品AO3162。它不仅仅是一个参数表上的型号,更是您应对高压、小电流控制挑战的得力助手,以其卓越的600V耐压能力和精妙的SOT-23封装,为您的设计注入强大的动力与安心的保障。
想象一下,在那些对空间和效率都极为苛刻的应用场景中,AO3162正大显身手。无论是智能家居中需要安全隔离的辅助电源开关、工业控制里精密的信号切换与采样电路,还是消费电子设备中高效的电池管理模块,它都能凭借其N沟道MOSFET的优异特性,实现快速、精准的开关控制。其高达600V的漏源电压(Vdss)为您提供了宽裕的设计余量,有效抵御电压尖峰,确保系统在复杂电磁环境下的长期稳定运行。而34mA的连续漏极电流能力,完美契合了小功率信号处理与驱动的需求,让您的电路在高效与节能之间找到最佳平衡点。
为何众多工程师在面临选型时,会毫不犹豫地青睐AO3162?答案在于它无与伦比的综合价值。极低的栅极电荷(Qg最大值仅0.15nC)和输入电容(Ciss),意味着它驱动简单、开关损耗极低,能显著提升系统整体效率,并简化您的驱动电路设计。从-50°C到150°C的宽广工作结温范围,赋予了它从容应对严寒酷暑的坚韧品质,保障设备在各种恶劣环境下稳定如初。更重要的是,其经典的SOT-23表面贴装封装,在为您节省宝贵PCB空间的同时,也大幅降低了组装成本。选择AO3162,就是选择了一份由AOS先进MOSFET技术背书的高可靠性。若您需要获取样品或进行批量采购,可以通过官方授权的AOS代理渠道,获得专业的技术支持与可靠的供应保障,让您的产品从设计到量产一路畅行。
总而言之,AO3162以其高压、低功耗、高可靠性和微型化封装的完美结合,重新定义了小功率高压开关的标杆。它不只是一个组件,更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的战略选择。立即将AO3162纳入您的设计库,体验它带来的卓越性能与安心价值!
- 型号:AO3162
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:SOT-23A-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 34MA SOT23
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):500 欧姆 @ 16mA,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 8A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):0.15 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.39W(Ta)
- 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23A-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- AO3162的官网价格:1:$0.64000|3000:$0.14649,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























