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AON6200L
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 13A/24A 8DFN
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AON6200L参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款在中小功率应用中表现非凡的明星产品AON6200L。它不仅仅是一个N沟道MOSFET,更是您提升系统性能、优化成本结构的得力伙伴。凭借其出色的电气特性和坚固的物理设计,它能够为您的应用注入强劲而稳定的动力,让每一次开关都精准高效,为最终产品的卓越表现奠定坚实基础。
想象一下,在您的便携式设备、电源适配器或电机驱动电路中,AON6200L正扮演着能量流通的智能守门员角色。其30V的漏源电压和高达24A(Tc)的连续漏极电流能力,使其轻松应对各种主流DC-DC转换、负载开关及电池保护场景。无论是需要快速响应的同步整流,还是对空间和散热有严苛要求的超薄型设备,它紧凑的8-DFN封装和优异的导热性能都能完美融入。更令人印象深刻的是,其极低的7.8毫欧导通电阻(@10V Vgs)意味着更少的导通损耗和发热,直接转化为更高的系统效率和更长的电池续航,让您的产品在市场竞争中脱颖而出。
为何众多领先的设计师在面临选型时,会毫不犹豫地选择AON6200L?答案在于它无可比拟的综合价值。在性能层面,4.5V的低驱动电压门槛与仅20nC的栅极电荷,确保了它能够被主流控制器轻松、快速地驱动,实现高效率的开关动作,同时简化了驱动电路设计。在可靠性方面,宽广的-55°C至150°C结温工作范围,赋予了产品应对严酷环境挑战的底气。尽管该型号已处于停产状态,但其成熟的设计、经过市场长期验证的可靠性,以及通过AOS一级代理渠道可能获得的库存支持,使其对于许多成熟、稳定且对供应链有特定要求的项目而言,依然是一个极具吸引力的高性价比选择。选择AON6200L,就是选择了一份经过时间淬炼的信任与效率承诺。
- 型号:AON6200L
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-DFN(5x6)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13A/24A 8DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A(Ta),24A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.8 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):20 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1300 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.95W(Ta),35W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-DFN(5x6)
- 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
- AON6200L的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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