




AOB42S60L
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-263(D2PAK)
- 技术参数:MOSFET N-CH 600V 37A TO263
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AOB42S60L参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款能够重新定义高性能电源与电机驱动设计的明星产品AOB42S60L。它不仅仅是一个参数表上的型号,更是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)凭借其先进的aMOS技术,为您带来的效率革命与性能保障。想象一下,将高达600V的阻断电压与37A的连续电流承载能力,封装进一个经典的TO-263封装中,这意味着您能在更紧凑的空间内,实现更强大的功率处理能力,让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。
无论是工业电机驱动中需要应对频繁启停和负载波动的严苛环境,还是服务器电源、通信电源中追求高密度与高效率的永恒课题,甚至是新能源领域如光伏逆变器、车载充电机(OBC)中对可靠性与寿命的极致要求,AOB42S60L都能游刃有余地担当重任。其低至109毫欧的导通电阻(Rds(on)),直接转化为更低的导通损耗,意味着更少的发热和更高的系统整体效率。而优化的栅极电荷(Qg)特性,则确保了快速、干净的开关动作,这不仅减少了开关损耗,更能简化您的驱动电路设计,提升系统的动态响应与电磁兼容性(EMC)表现。选择它,就是为您的系统注入一颗强劲而高效的心脏。
为何众多领先的工程师和采购专家都将AOB42S60L作为中高功率开关应用的首选?答案在于它卓越的价值平衡。它提供了顶级的电气性能,却保持了极具竞争力的成本优势。其宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C结温)和高达417W的功率耗散能力,赋予了产品无与伦比的鲁棒性与环境适应性,大大提升了终端产品的可靠性和使用寿命。当您在设计下一代电源或驱动方案时,这颗芯片就是您实现高性能、高可靠性目标的坚实基石。为了确保您能获得正品保障与及时的技术支持,我们强烈建议您通过官方AOS授权代理进行采购,这不仅是品质的承诺,更是项目顺利推进的保障。立即采用AOB42S60L,开启您的高效、可靠设计之旅!
- 型号:AOB42S60L
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-263(D2PAK)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 37A TO263
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):37A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):109 毫欧 @ 21A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):40 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2154 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):417W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263(D2PAK)
- 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- AOB42S60L的官网价格:800:$3.08534,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























