




AOTF8N65
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220F
- 技术参数:MOSFET N-CH 650V 8A TO220-3F
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOTF8N65参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款集高性能与高性价比于一身的功率开关解决方案AOTF8N65。它不仅仅是一个MOSFET,更是您提升产品竞争力、实现设计突破的得力伙伴。凭借其卓越的650V高压阻断能力和高达8A的连续电流承载能力,它为您的高压应用筑起了一道坚实可靠的防线,让您在面对复杂工况时也能从容不迫,信心倍增。
想象一下,无论是为千家万户提供稳定电力的开关电源(SMPS),还是驱动工业设备高效运转的马达控制器,亦或是为绿色能源梦想添砖加瓦的太阳能逆变器,AOTF8N65都能在其中扮演至关重要的“心脏”角色。它那低至1.15欧姆的导通电阻,意味着更低的传导损耗,直接转化为更低的温升和更高的系统效率,让您的终端产品在激烈的市场竞争中,以更低的能耗和更长的寿命脱颖而出。其坚固的TO-220-3F封装,不仅提供了优异的散热性能,确保在高达150°C的结温下稳定工作,也简化了您的生产流程,让组装与维护都变得轻松便捷。
那么,在众多同类产品中,为何要坚定地选择AOTF8N65?答案在于它为您带来的综合价值远超一个简单的元件。它源自业界领先的AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.),其深厚的工艺底蕴保证了每一颗芯片都具备卓越的一致性和可靠性。优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性,让开关过程更为迅速、干净,显著降低了开关损耗,并减轻了驱动电路的设计压力。这意味着您不仅能获得一颗性能强悍的芯片,更能缩短开发周期,降低整体系统成本。当您需要获取样品、技术资料或批量采购支持时,遍布全球的AOS代理商网络随时准备为您提供专业、及时的服务,确保您的项目从设计到量产一路畅通无阻。选择AOTF8N65,就是选择了一个值得信赖的性能基石,一个能伴随您的产品共同成长的成功伙伴。
- 型号:AOTF8N65
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-220F
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 8A TO220-3F
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.15 欧姆 @ 4A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):28 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1400 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):50W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220F
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- AOTF8N65的官网价格:1000:$0.73150,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























