




AOB66613L
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-263(D2PAK)
- 技术参数:MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO263
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOB66613L参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心往往能决定整个系统的成败。今天,我们为您带来一款能够重新定义性能标准的功率器件AOB66613L。它不仅仅是一个MOSFET,更是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)尖端AlphaSGT技术的结晶,专为应对严苛应用而生的高效能解决方案。想象一下,将高达60V的漏源电压承受能力、惊人的44.5A(Ta)/120A(Tc)连续漏极电流,以及低至2.5毫欧的导通电阻,全部集成在一个坚固的TO-263封装中。这意味着更低的导通损耗、更高的功率密度和前所未有的系统效率提升,让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。
无论是服务器和数据中心里要求24/7不间断运行的高效电源,还是新能源领域如太阳能逆变器、车载充电机(OBC)中对效率和可靠性有着严苛要求的功率转换环节,AOB66613L都能游刃有余。其宽广的-55°C至150°C结温工作范围,确保了在极端环境下依然稳定如初。在电机驱动、工业自动化设备中,它能够提供强劲而精准的功率控制;在通信电源和高端消费类电子产品的快充模块里,其优异的开关特性(Qg仅110nC @ 10V)有助于实现更高频率和更紧凑的设计。选择它,就是为您的下一个项目注入了澎湃而可靠的心脏。
为什么众多领先的设计师和工程师都将信任票投给AOB66613L?答案在于它带来的综合价值远超一个简单的元件。极低的Rds(on)直接转化为更少的热量产生和更高的能源利用率,帮助您的终端产品轻松通过能效认证并降低运营成本。卓越的功率处理能力(Tc下高达260W)和坚固的封装,显著提升了系统的长期可靠性与使用寿命,减少了维护负担。此外,其优化的栅极驱动特性(Vgs(th)最大3.5V)使其易于驱动,简化了电路设计。当您需要这样一款集高性能、高可靠性与高性价比于一身的功率开关时,联系值得信赖的AOS代理商,将是获取正品保障、专业选型支持与高效供应链服务的关键一步。让AOB66613L成为您打造下一代高效、紧凑、可靠电力电子系统的秘密武器,共同开启能效新纪元。
- 型号:AOB66613L
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-263(D2PAK)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO263
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):44.5A(Ta),120A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.5 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):110 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5300 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):8.3W(Ta),260W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263(D2PAK)
- 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- AOB66613L的官网价格:1:$4.70000|800:$1.71728,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























