




AON6382
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AON6382参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心器件往往能成为您产品脱颖而出的关键。今天,我们向您隆重介绍AON6382一款由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)精心打造的N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个电子元件,更是您提升系统性能、降低能耗、实现设计创新的得力伙伴。凭借其卓越的电气特性和坚固的物理结构,AON6382正重新定义着30V应用领域的性能标杆,为工程师们带来前所未有的设计自由度和信心保障。
想象一下,在您的服务器电源、高性能计算设备、或高密度DC-DC转换器中,电流的每一次高效、平稳的切换都至关重要。AON6382正是为此而生。其高达85A的连续漏极电流承载能力和低至1.85毫欧的超低导通电阻,意味着在相同电流下,它能将导通损耗降至极低水平,显著减少热量产生,让您的系统运行得更凉爽、更持久。无论是应对数据中心严苛的24/7不间断运行,还是满足消费类快充产品对高效率和小型化的双重追求,这颗芯片都能游刃有余,确保能量以最高的效率从源头精准输送到负载。
选择AON6382,就是选择了一份可靠与高效的承诺。其优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性,使得开关过程迅速而干净,极大地降低了开关损耗,让您的电源设计在追求高频化的同时,依然能保持卓越的整体效率。宽广的-55°C至150°C工作结温范围,赋予了它无与伦比的环境适应能力,无论是严寒还是酷热,性能始终稳定如一。采用先进的8-DFN-EP封装,不仅提供了优异的散热性能,还最大限度地节省了宝贵的PCB空间,助力您实现更紧凑、更集成的产品设计。当您需要为项目寻找值得信赖的功率解决方案时,通过官方授权的AOS总代理获取原装正品的AON6382,无疑是确保供应链稳定和产品最终质量的最佳途径。让它成为您下一个成功设计的强大心脏,共同开启高效能源管理的新篇章。
- 型号:AON6382
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-DFN(5x6)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.85 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):65 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3100 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):50W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-DFN(5x6)
- 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
- AON6382的官网价格:3000:$0.52976,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























