AO6401

在追求极致效率与可靠性的电子设计世界里，一颗性能卓越的功率器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们为您隆重介绍AO6401一款来自AOS的经典P沟道MOSFET，它不仅仅是一个组件，更是您提升系统性能、简化设计流程的得力伙伴。凭借其30V的耐压能力和高达5A的连续漏极电流，它为您提供了充沛的动力储备，确保在各种严苛工况下都能稳定输出，让您的产品底气十足。

想象一下，在您的便携式设备、电源管理模块或电机驱动电路中，AO6401正默默发挥着核心作用。其低至47毫欧的导通电阻，意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了整机能效，延长了电池续航。无论是需要高效开关的DC-DC转换器，还是对空间和散热有苛刻要求的紧凑型设备，这颗芯片都能轻松融入，以其卓越的电气特性和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），从容应对挑战，保障系统长期稳定运行。

选择AO6401，就是选择了一份经过市场验证的可靠与高效。其2.5V的低驱动电压门槛，让您能够更灵活地搭配控制电路，简化驱动设计。同时，表面贴装的6-TSOP封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，也便于自动化生产，大幅降低您的制造成本。我们深知稳定的供应链至关重要，因此我们推荐您通过值得信赖的AOS一级代理进行采购，以确保获得原装正品和及时的技术支持，让您的项目从研发到量产都一路畅通。让AO6401成为您下一个成功产品的坚实基石，共同开启高效、可靠的新篇章！

• 型号:AO6401
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-TSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:47 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:780 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:6-TSOP
• 封装/外壳:SC-74，SOT-457
• AO6401的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。