




AOB7S60L
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-263(D2PAK)
- 技术参数:MOSFET N-CH 600V 7A TO263
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AOB7S60L参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电力电子世界里,一颗强大的核心器件往往能决定整个系统的成败。今天,我们向您隆重介绍AOB7S60L来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)aMOS家族的N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个组件,更是您提升产品性能、优化系统设计的得力引擎。凭借其高达600V的漏源电压和7A的连续漏极电流能力,它为您打开了通往更高功率密度和更强健系统的大门,让每一次能量转换都更加精准、高效。
想象一下,在您精心设计的开关电源、电机驱动或PFC(功率因数校正)电路中,AOB7S60L正扮演着至关重要的角色。它那仅600毫欧的低导通电阻(在10V驱动下),意味着更低的传导损耗和更少的热量产生,直接转化为更高的整体效率和更长的设备寿命。无论是工业自动化设备中需要稳定可靠的控制单元,还是消费类电源适配器追求小巧与高效的平衡,这颗芯片都能游刃有余。其TO-263(DPak)的表面贴装封装,不仅提供了优异的散热性能,还能适应现代化的自动化生产流程,让您的制造过程如虎添翼。
为什么众多工程师在面临高压、中电流应用选型时,会毫不犹豫地选择AOB7S60L?答案在于它卓越的综合性能与AOS一贯的可靠性承诺。极低的栅极电荷(仅8.2nC)和输入电容,显著降低了开关损耗,让高频开关操作更加轻松,系统响应更为迅捷。宽广的工作温度范围(-55°C至150°C结温)确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作,从寒冷的户外设备到内部高温的密闭空间,它都是值得信赖的伙伴。当您需要稳定、优质的货源和技术支持时,请务必认准官方授权的AOS一级代理,他们不仅能提供正品保障,更能为您带来专业的选型指导与供应链服务,让您的创新之路畅通无阻。选择AOB7S60L,就是选择为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的心脏。
- 型号:AOB7S60L
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-263(D2PAK)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO263
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):600 毫欧 @ 3.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):8.2 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):372 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):104W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263(D2PAK)
- 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
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