AONR66922

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心往往能决定整个系统的成败。今天，我们为您带来一款能够重塑您对功率密度与性能认知的卓越产品AONR66922。它不仅仅是一个MOSFET，更是AOS公司AlphaSGT技术家族的杰出代表，旨在为您的高要求应用注入澎湃而稳定的动力源泉。

想象一下，在紧凑的8DFN封装内，蕴藏着高达100V的耐压能力和惊人的电流处理能力在环境温度下可连续通过15A电流，而在芯片温度下更能承载高达50A的峰值电流。这意味着，无论是面对严苛的工业环境还是追求轻薄便携的消费电子设计，AONR66922都能游刃有余。其核心魅力在于极低的导通电阻，在10V驱动电压下，仅为9毫欧的最大值，这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生，让您的系统运行更凉爽、更持久，效率提升触手可及。

这颗芯片的价值，在广泛的应用场景中熠熠生辉。它正是您一直在寻找的、适用于高效率DC-DC转换器、电机驱动控制、锂电保护以及各类电源管理模块的理想开关。在服务器电源中，它助力实现更高的功率密度；在电动工具里，它提供瞬间爆发的强劲动力；在新能源车的车载充电器（OBC）或附属电源中，它确保稳定可靠的能量转换。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和优异的散热性能（封装功率耗散高达52W），让它无惧极端挑战，始终如一地稳定工作。

选择AONR66922，就是选择了一份超越期待的承诺。它集高可靠性、卓越的开关性能与紧凑的封装尺寸于一身，完美平衡了性能、尺寸与成本。较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，整体能效再上新台阶。当您需要为下一个项目寻找一个强大、高效且值得信赖的功率开关解决方案时，AONR66922无疑是您的不二之选。如需获取样品、技术资料或采购支持，欢迎联系我们的AOS中国代理，他们将为您提供专业、高效的本土化服务，助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

• 型号:AONR66922
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2180 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），52W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• AONR66922的官网价格：1:$2.28000|3000:$0.63873，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。