




AOK5N100L
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-247
- 技术参数:MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
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AOK5N100L参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心器件往往能成为整个系统设计的胜负手。今天,我们为您隆重介绍AOK5N100L这不仅仅是一款高性能N沟道MOSFET,更是您应对高压、高功率挑战的得力伙伴。它凭借高达1000V的漏源电压和4A的连续漏极电流承载能力,在严苛的工作环境下依然能保持稳定输出,将系统的耐压等级和功率处理能力提升到一个新的高度。其卓越的导通电阻特性,意味着更低的导通损耗,直接转化为更高的整体能效和更少的热量产生,让您的产品在激烈的市场竞争中,凭借出色的能耗表现脱颖而出。
想象一下,在工业电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器或大功率开关电源等关键应用中,系统的稳定与高效是生命线。AOK5N100L正是为此而生。它那坚固的TO-247封装和宽达-55°C至150°C的工作结温范围,确保了其在恶劣工业环境下的长期可靠性。无论是应对瞬间的功率冲击,还是在持续高负荷下运行,它都能游刃有余,成为保障您设备7x24小时不间断稳定运行的坚实基石。选择它,就是为您的核心设备选择了一份值得信赖的保险。
那么,为何众多工程师在面临高压选型时,会毫不犹豫地青睐AOK5N100L?答案在于其背后精妙的平衡艺术。它在高耐压、低栅极电荷(仅23nC @10V)与合理的输入电容之间取得了完美平衡,这不仅简化了驱动电路的设计,降低了开关损耗,更能实现更快的开关频率,从而让您的电源系统设计更加紧凑、高效。这颗芯片所带来的价值,远不止于参数表上的数字,它意味着更简化的热管理方案、更小的系统体积以及最终更具竞争力的产品成本。如果您正在寻找一个能同时满足高性能、高可靠性和卓越性价比的解决方案,通过专业的AOS代理商获取AOK5N100L,无疑是您迈向成功设计最明智、最直接的一步。让它为您的下一个创新项目注入强大而稳定的动力。
- 型号:AOK5N100L
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):1000 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.2 欧姆 @ 2.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):23 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1150 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):195W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247
- 封装/外壳:TO-247-3
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