AONR32320C

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界中，一颗强大的“心脏”往往决定了产品的最终高度。今天，我们为您隆重介绍AONR32320C来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的明星级N沟道MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您释放产品潜能、实现设计飞跃的关键钥匙。凭借其卓越的性能参数，它正重新定义着30V应用领域的效率标准，让您的项目从一开始就站在了更高的起跑线上。

想象一下，在您的手持设备、便携式电源、电机驱动或高效DC-DC转换器中，需要一颗既能承受高电流冲击，又能保持极低损耗的开关器件。AONR32320C正是为此而生。其高达12A（Tc）的连续漏极电流承载能力和仅21毫欧的超低导通电阻，意味着在能量传输路径上的损耗被降至最低，更多的电能被有效利用，直接转化为更长的续航时间、更低的发热量以及更稳定的系统运行。无论是驱动微型电机精准运转，还是在电源模块中进行快速高效的开关转换，它都能游刃有余，确保每一分能量都物尽其用。

为什么众多工程师在面临关键选型时，会毫不犹豫地倾向AONR32320C？答案在于它无与伦比的综合价值。它采用先进的8-DFN-EP（3x3）封装，在提供强大散热能力（功率耗散高达11W @ Tc）的同时，保持了极小的占板面积，完美契合现代电子产品小型化、高密度的设计趋势。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）赋予了产品在严苛环境下稳定工作的可靠性。更重要的是，其优化的栅极电荷（Qg仅20nC）和输入电容，使得开关速度极快，驱动简单，能显著降低开关损耗，提升整体系统频率和效率。选择它，就是选择了一份经过市场验证的卓越、可靠与高效。如需获取样品或进行批量采购，我们的官方AOS代理商网络将为您提供全方位的专业支持与服务。

• 型号:AONR32320C
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9.5A/12A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta），12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），11W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• AONR32320C的官网价格：1:$0.64000|5000:$0.13680，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。