AOD1R4A70

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心往往能重新定义设计的边界。今天，我们为您隆重介绍AOD1R4A70来自AOS aMOS家族的700V N沟道MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您应对高压、高功率挑战的得力伙伴，以其卓越的性能和坚固的耐用性，为您的产品注入澎湃而稳定的动力源泉。想象一下，当您的设计需要处理高达700V的电压，同时保持高效的能量转换和低损耗，AOD1R4A70正是为此而生，它让复杂的高压应用变得前所未有的简单和可靠。

无论是开关电源（SMPS）中的关键功率开关，还是电机驱动、工业控制、LED照明驱动乃至电动汽车充电桩等辅助电源模块，AOD1R4A70都能游刃有余地胜任。其3.8A的连续漏极电流承载能力和低至1.4欧姆的导通电阻，意味着在导通状态下损耗极低，能显著提升系统整体效率，减少热量产生。这直接转化为更长的设备寿命、更小的散热器需求以及更低的系统总成本。在严苛的工业环境或需要长时间稳定运行的消费类产品中，这种可靠性就是您产品赢得市场的核心竞争力。

选择AOD1R4A70，就是选择了一份安心与远见。它采用成熟的TO-252（DPAK）封装，易于焊接和自动化生产，从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了其在极端温度下的稳定表现。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关速度更快，驱动更轻松，进一步优化了开关损耗。这意味着您的电源系统可以工作在更高的频率，从而使用更小、更轻的磁性元件，实现产品的小型化和轻量化。当您需要可靠的高压MOSFET解决方案时，AOS中国代理随时准备为您提供从技术选型到供应链支持的全方位服务，让AOD1R4A70的强大性能无缝融入您的创新蓝图。

• 型号:AOD1R4A70
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 3.8A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:354 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD1R4A70的官网价格：1:$1.82000|2500:$0.56980，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。