




AON6758_104
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-DFN(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AON6758_104参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们隆重向您介绍一款性能出众的N沟道MOSFETAON6758_104。它来自业界领先的功率半导体解决方案提供商AOS,以其卓越的电气特性和坚固的物理设计,旨在为您的电源管理、电机驱动和负载开关应用注入强劲动力,让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。
想象一下,在紧凑的DC-DC转换器中,需要一颗能够高效处理大电流的开关;在空间受限的电机驱动模块里,渴望一个低导通损耗、散热优异的执行单元;或者在各类便携设备的负载开关中,寻求快速响应与高可靠性的完美结合。AON6758_104正是为这些挑战而生。其30V的漏源电压和高达27A(Ta)/32A(Tc)的连续漏极电流能力,让它轻松应对主流的中低压、大电流应用场景。无论是提升笔记本的电源适配器效率,优化无人机电调的动态响应,还是增强车载电子设备的稳定性,它都能游刃有余,成为工程师手中值得信赖的“能量阀门”。
选择AON6758_104,意味着您选择了一种更高阶的性能平衡艺术。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下,仅3.6毫欧的最大值,这直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生,让系统能效显著提升,续航更长,温升更缓。同时,优化的栅极电荷(Qg最大值40nC @ 10V)与输入电容特性,确保了快速的开关速度,减少了开关损耗,特别适合高频开关应用。集成的体肖特基二极管提供了额外的保护,增强了系统的鲁棒性。其采用表面贴装型8-DFN(5x6)封装,在提供优异散热性能(Tc下功率耗散高达41W)的同时,也节省了宝贵的PCB空间。虽然该型号已进入停产状态,但其成熟的设计和卓越的性能使其在特定存量市场和备件领域依然具有重要价值。为确保您获得正品货源与专业的技术支持,我们强烈建议您通过官方AOS授权代理进行咨询与采购,为您的项目成功保驾护航。
- 制造商产品型号:AON6758_104
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:AlphaMOS
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):27A(Ta),32A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.6 毫欧 @ 20A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):40nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1975pF @ 15V
- FET功能:肖特基二极管(体)
- 功率耗散(最大值):4.1W(Ta),41W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-DFN(5x6)
- AON6758_104的官网价格:停产,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























