AOD2HC60

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界里，一颗核心器件的选择往往决定了整个系统的成败。今天，我们向您隆重介绍一款在高压开关应用中表现卓越的功率器件AOD2HC60。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您构建高效、稳定电源解决方案的坚实基石。凭借其高达600V的漏源电压和2.5A的连续漏极电流能力，它天生就是为应对严苛的工业环境而生，让您的设计从一开始就站在了高可靠性的起跑线上。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动控制板中，需要一颗能够快速、精准地控制能量流动的“心脏”。AOD2HC60正是为此而来。其TO-252（D-Pak）的紧凑封装，完美适配现代电子设备对高功率密度和小型化的双重追求，让您在有限的PCB空间内也能实现强大的功率处理。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业照明驱动的核心开关，这颗芯片都能游刃有余，确保系统在-50°C至150°C的宽广温度范围内稳定运行，为您产品的全天候可靠性保驾护航。

为何众多工程师在面临高压、中电流应用选型时，会青睐AOD2HC60？答案在于它卓越的性能平衡艺术。仅10V的驱动电压即可实现优异的导通特性，最大2欧姆的导通电阻（RdsOn）意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了整机效率并简化了散热设计。同时，极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，减少了开关损耗，让您的系统响应更迅捷，效率曲线更漂亮。选择它，就是选择了一份经过市场验证的安心与高效。如果您正在寻找可靠的技术伙伴与货源支持，我们专业的AOS代理团队随时准备为您提供从选型到供应的全方位服务，助您将创新构想加速转化为市场领先的产品。

• 型号:AOD2HC60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 800mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:466 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:74W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD2HC60的官网价格：2500:$0.30640，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。