AOD3N60

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们向您隆重介绍来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的明星产品AOD3N60。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您构建高效、紧凑、稳定电源系统的强大心脏。凭借其600V的高耐压能力和优化的动态特性，它能轻松应对严苛的工业环境，将能量损耗降至最低，让您的设计在性能与成本之间找到完美的平衡点。

想象一下，无论是您正在开发的紧凑型开关电源（SMPS）、不可或缺的LED照明驱动，还是要求严苛的电机控制与工业电源，AOD3N60都能成为您值得信赖的伙伴。其2.5A的连续漏极电流和仅3.5欧姆的低导通电阻，意味着在传导过程中产生的热量更少，系统整体效率更高。这对于追求高功率密度和长寿命的应用至关重要，比如在空间受限的适配器或需要7x24小时不间断运行的服务器电源中，它能确保稳定输出，默默守护系统的每一分性能。

为什么众多工程师在众多选择中独爱AOD3N60？答案在于其卓越的综合价值。它采用了成熟的TO-252（D-Pak）表面贴装封装，不仅散热性能优异，便于自动化生产，还能有效节省宝贵的PCB空间。极低的栅极电荷（仅12nC）和输入电容，让开关速度更快，驱动更轻松，显著降低了开关损耗，这对于提升高频开关电源的效率有着立竿见影的效果。同时，其宽广的工作温度范围（-50°C至150°C）赋予了产品无与伦比的环境适应性。当您选择AOD3N60，您选择的不仅是AOS原厂的品质保证，更是通过我们可靠的AOS代理网络获得的完整技术支持和稳定供货保障。这确保了您的项目从研发到量产一路畅通，让创新想法更快地转化为市场领先的产品。

• 型号:AOD3N60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:56.8W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD3N60的官网价格：1:$1.35000|2500:$0.35240，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。