




AOD418
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-252(DPAK)
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A TO252
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOD418参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗强大的“心脏”往往能决定整个系统的成败。今天,我们向您隆重介绍这样一颗性能卓越的功率开关解决方案AOD418。它不仅仅是一个N沟道MOSFET,更是您提升产品性能、简化设计流程、赢得市场竞争的得力助手。凭借其出色的电气特性和坚固的物理设计,AOD418正重新定义着30V应用场景下的功率密度与效率标准,让您的创意不再受限于器件的瓶颈。
想象一下,在您的电源管理模块中,无论是DC-DC转换器的高效同步整流,还是电机驱动电路中的精准PWM控制,甚至是负载开关与电池保护电路的关键环节,AOD418都能游刃有余地担当重任。其高达36A(Tc)的连续漏极电流承载能力和低至7.5毫欧的导通电阻,意味着更低的传导损耗和更少的热量产生,直接为您带来系统整体效率的显著提升和散热设计的简化。在-55°C至175°C的宽广结温范围内稳定工作,确保了从工业严苛环境到消费电子产品的全天候可靠运行。
那么,在众多同类产品中,为何AOD418能脱颖而出,成为您的明智之选?答案在于它卓越的综合价值。其优化的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)特性,使得开关速度更快,驱动更轻松,特别适合高频开关应用,能有效降低开关损耗,提升系统响应速度。TO-252(D-Pak)封装不仅提供了优异的散热性能,其表面贴装形式也完全适配现代自动化生产流程,助力您实现高效、规模化制造。选择AOD418,就是选择了一份由顶尖半导体技术背书的品质承诺。如需获取官方正品与全面技术支持,我们推荐您通过授权的AOS总代理进行采购,以确保产品来源可靠,并获得完整的应用支持。
归根结底,AOD418的价值远不止于参数表上的数字。它代表着一种设计哲学:在有限的空间和预算内,实现性能的最大化。它让工程师能够更专注于系统架构的创新,而非纠结于基础器件的选型与妥协。无论是提升现有产品的能效等级,还是开发面向未来的创新设备,AOD418都准备好了以其强悍、稳定、高效的特性,成为您项目中不可或缺的基石。立即体验AOD418带来的变革,让您的产品动力澎湃,在市场中全速前进!
- 型号:AOD418
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-252(DPAK)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A TO252
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A(Ta),36A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.5 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):24 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1380 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),50W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252(DPAK)
- 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
- AOD418的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























