AOD7N65

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计领域，一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们隆重向您介绍一款能够为您的设计注入强劲动力与卓越稳定性的明星产品AOD7N65。这款来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的N沟道MOSFET，以其高达650V的漏源电压和7A的连续漏极电流能力，为您的高压、高功率应用提供了坚实可靠的核心保障。它不仅是一个简单的开关，更是您提升系统效率、优化整体性能、并最终赢得市场竞争的制胜利器。

想象一下，在那些对效率和稳定性要求极为严苛的场景中，AOD7N65正大显身手。无论是服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS），还是高功率LED照明和适配器，这颗芯片都能从容应对。其1.56欧姆的低导通电阻（在10V驱动电压下），意味着在导通状态下更低的功率损耗，直接转化为更低的发热和更高的系统效率。而高达178W的功率耗散能力，配合TO-252（D-Pak）的经典封装，确保了出色的散热性能和长期工作的可靠性，让您的产品即使在-50°C到150°C的宽温范围内也能稳定运行，无惧挑战。

选择AOD7N65，就是选择了一份安心与远见。它不仅仅满足于当下的参数需求，更通过优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），实现了快速、干净的开关特性，这有助于简化您的驱动电路设计，减少开关损耗，进一步提升整体能效。这意味着您的产品将拥有更长的使用寿命、更低的运行成本，以及更出色的市场竞争力。当您致力于打造下一代高效、紧凑且可靠的电力解决方案时，AOD7N65无疑是您值得信赖的伙伴。如需获取样品或技术支持，欢迎联系我们的AOS代理商，他们将为您提供专业、高效的服务，助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

• 型号:AOD7N65
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.56 欧姆 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:178W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD7N65的官网价格：1:$1.90000|2500:$0.52552，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。