AOK18N65L

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心往往能决定整个系统的成败。今天，我们为您隆重介绍AOK18N65L来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor）的卓越N沟道MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、降低系统复杂性的得力伙伴。凭借高达650V的漏源电压和18A的连续漏极电流能力，这颗芯片天生就为应对严苛的高压、大电流环境而生，其卓越的电气特性为您的设计蓝图注入了坚实的信心。

想象一下，在您至关重要的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动应用中，AOK18N65L正以其高效的表现默默贡献力量。它那低至390毫欧的导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下更小的能量损耗，直接转化为更低的发热和更高的整体效率，让您的设备运行得更凉爽、更持久。无论是工业自动化设备中的电机控制，还是服务器电源中要求苛刻的能源转换，它都能轻松驾驭，确保能量以最精准、最流畅的方式传递。

选择AOK18N65L，就是选择了一份从容与保障。其坚固的TO-247封装提供了出色的散热能力，支持高达417W的功率耗散，结合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种恶劣环境下依然稳定可靠。优化的栅极电荷（Qg）特性有助于简化您的驱动电路设计，减少开关损耗，让系统在高频下运行也能保持高效率。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，遍布全球的AOS代理网络随时准备为您服务，从选型到量产，全程护航。这不仅仅是一颗MOSFET，更是AOS对高性能与高可靠性承诺的体现，是助您产品在市场竞争中脱颖而出的关键动力。

• 型号:AOK18N65L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 18A TO247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:390 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3785 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:417W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• AOK18N65L的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。