AOTF11C60P

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心器件往往能彻底改变您的设计格局。今天，我们为您隆重介绍AOTF11C60P这不仅仅是一颗MOSFET，更是您构建高效、稳定电源系统的信心基石。它承载着AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）在功率半导体领域深厚的积淀，以其卓越的600V耐压和11A的连续电流能力，为您的中高功率应用铺平道路，让能量转换过程更加顺畅、损耗更低，直接为您的终端产品注入强劲的竞争力和持久的生命力。

想象一下，无论是工业电机驱动中需要精准控制的变频环节，还是开关电源（SMPS）里承担核心开关任务的主功率管，甚至是不断进化的电动车充电桩和UPS不间断电源系统，AOTF11C60P都能从容应对。它那低至400毫欧的导通电阻，意味着在导通状态下更少的热量产生，更高的整体效率；高达50W的功率耗散能力，配合经典的TO-220-3F封装，确保了优异的散热性能和机械坚固性，即使在-55°C到150°C的严苛温度范围内也能稳定工作。这意味着您的设备可以适应更复杂的环境，运行更长时间，维护成本却大幅降低。

选择AOTF11C60P，就是选择了一份经过市场验证的可靠性。虽然其零件状态已标注为停产，但这恰恰证明了其经典的设计和广泛的成功应用历史，对于许多成熟、追求长期稳定供应的产品线而言，它依然是经过时间淬炼的优选方案。它的存在，让工程师无需在性能与风险之间妥协。如果您正在寻找这款性能标杆器件的可靠来源，我们的AOS中国代理团队随时准备为您提供全面的技术支持与供应链服务，确保您能心无旁骛地专注于创新与设计。让AOTF11C60P成为您下一个成功产品的强大心脏，开启能效新时代。

• 型号:AOTF11C60P
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2333 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF11C60P的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。