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AOK5N100

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-247
  • 技术参数:MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AOK5N100参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界,一颗强大的心脏往往能决定整个系统的成败。今天,我们为您隆重介绍这样一颗为高性能应用而生的核心动力源AOK5N100。它不仅仅是一个参数表上的型号,更是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)尖端技术与卓越工艺的结晶,旨在为您的设计注入前所未有的活力与稳定性。想象一下,当您的电源转换系统、电机驱动或工业电源需要面对高达1000V的严峻电压挑战时,AOK5N100就像一位坚不可摧的守护者,以其卓越的耐压能力和高达195W的功率处理潜力,确保系统在极端条件下依然从容不迫,稳定输出澎湃动力。

这颗芯片的舞台遍布于那些对性能有着严苛要求的领域。无论是服务器和数据中心里需要24小时不间断运行的高效开关电源(SMPS),还是新能源领域中光伏逆变器对能量进行高效、可靠转换的关键节点;无论是工业自动化设备中驱动电机精准运转的脉宽调制(PWM)电路,还是电动汽车充电桩内部处理高功率的核心模块,AOK5N100都能完美胜任。其N沟道设计和10V的标准驱动电压,让它在各种拓扑结构中都能轻松集成,快速响应控制信号,实现高效的能量开关。在-55°C至150°C的宽广结温范围内,它都能保持出色的性能一致性,这意味着无论您的设备部署在炎热的户外还是寒冷的工业现场,它都是您可以完全信赖的伙伴。

那么,在众多选择中,为何AOK5N100是您不容错过的明智之选?答案在于它精妙的平衡艺术。它拥有高达1000V的漏源电压(Vdss)和4A的连续漏极电流,为高电压应用提供了充足的安全裕量。同时,其导通电阻(RdsOn)在10V驱动下表现优异,配合仅23nC的栅极电荷(Qg),共同实现了极低的开关损耗和导通损耗,这直接转化为更高的系统整体效率和更低的温升,让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。其经典的TO-247封装不仅提供了优异的散热路径,便于安装散热器以充分发挥其195W的耗散能力,也保证了在严苛环境下的长期机械可靠性。选择AOK5N100,就是选择了一份由顶尖半导体制造商背书的高品质承诺。为了确保您能获得正品保障与及时的技术支持,我们强烈推荐您通过官方授权的AOS一级代理进行采购,为您的创新之旅保驾护航。

  • 型号:AOK5N100
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-247
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):1000 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.2 欧姆 @ 2.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):23 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1150 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):195W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-247
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • AOK5N100的官网价格:240:$1.72017,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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