




AOL1206
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:UltraSO-8
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 16A/54A ULTRASO8
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOL1206参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗性能卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们隆重向您介绍一款在紧凑封装内蕴藏强大能量的解决方案AOL1206。这款由AOS精心打造的N沟道MOSFET,以其卓越的电气性能和坚固的可靠性,正成为工程师们在30V应用场景下的理想选择,帮助您的设计突破瓶颈,释放无限潜能。
想象一下,在空间受限的便携式设备、高密度的服务器电源模块或是要求严苛的汽车辅助系统中,您需要一颗既能承载高电流,又能保持极低导通损耗的开关。这正是AOL1206大显身手的舞台。其高达54A(Tc)的连续漏极电流能力和低至6毫欧的导通电阻,意味着它能够以极小的电压降和热量产生,高效地管理大功率流。无论是用于同步整流、电机驱动控制,还是负载开关和DC-DC转换器中的关键开关位,它都能确保系统运行得更冷静、更持久、更稳定。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围,更是赋予了产品应对极端环境挑战的底气。
那么,在众多同类产品中,为何要坚定地选择AOL1206?答案在于它无与伦比的综合价值。首先,其4.5V的低驱动电压门槛,使其能够轻松兼容主流低压控制逻辑,简化您的驱动电路设计。其次,优化的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)特性,显著降低了开关过程中的损耗,提升了整体系统的转换效率,尤其在高频开关应用中优势尽显。最后,其采用行业标准的UltraSO-8封装,在提供出色散热性能(功率耗散高达62W Tc)的同时,保持了极小的占板面积,完美平衡了性能与空间需求。选择AOL1206,就是选择了一份经过市场验证的可靠性与性能保障。为确保您能获得正品货源与完善的技术支持,我们强烈建议您通过官方授权的AOS一级代理进行采购。
尽管该型号已进入停产状态,但其成熟的设计、广泛的应用验证和可能存在的库存或替代方案咨询,依然使其成为特定项目或现有产品维护中的重要考量。它代表了一个时代的高性能标准,其设计理念至今仍具参考价值。让AOL1206所承载的稳定与高效基因,融入您的下一个创新设计,共同开启能效新纪元。
- 型号:AOL1206
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:UltraSO-8
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 16A/54A ULTRASO8
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A(Ta),54A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):23.5 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1670 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.7W(Ta),62W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:UltraSO-8
- 封装/外壳:3-PowerSMD,引线
- AOL1206的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























