




AON3414
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN(3x3)
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AON3414参数详情:
在追求极致能效与紧凑设计的电子世界中,一颗强大的核心开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款能够重新定义功率密度与效率标准的明星产品AON3414。这款由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)精心打造的N沟道MOSFET,不仅仅是一个组件,更是您释放产品潜能、赢得市场竞争的强力引擎。它集高电流承载、超低导通电阻与卓越的散热性能于一身,旨在将复杂的功率管理挑战转化为简洁高效的解决方案,让您的设计从此轻盈而有力。
想象一下,无论是需要高频率切换的DC-DC转换器、对空间极其敏感的便携式设备电源管理,还是要求快速响应和低损耗的电机驱动与负载开关应用,AON3414都能游刃有余。它的30V漏源电压和高达10.5A的连续漏极电流能力,为各种主流电压平台提供了坚实的保障。在电池供电的设备中,其优异的开关特性有助于延长续航;在计算和通信设备的主板电源轨上,它能确保核心部件获得稳定而纯净的能量供给。选择AON3414,就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏,确保其在各种应用场景下都能稳定、高效地跳动。
那么,为何众多领先企业都将目光投向AON3414?答案在于它无与伦比的综合价值。其最大仅17毫欧的超低导通电阻(Rds(on)),直接意味着更低的导通损耗和更少的热量产生,这不仅提升了整体能效,也简化了热管理设计,让您的产品更凉爽、更持久。同时,优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)确保了快速的开关速度,减少了开关损耗,特别适合高频应用,让系统响应更加敏捷。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围,赋予了它应对严苛环境挑战的坚韧品质。其紧凑的8-DFN(2.9x2.3)封装,完美契合了当今电子产品小型化的趋势,在节省宝贵PCB空间的同时,丝毫不妥协性能。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗性能利器,我们的AOS中国代理团队随时准备为您提供全面的技术支持与便捷的供应链服务,助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。
- 型号:AON3414
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-DFN(3x3)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 10.5A 8DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):17 毫欧 @ 9A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):25 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):690 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-DFN(3x3)
- 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
- AON3414的官网价格:1:$0.65000|3000:$0.14800,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























