




AON4807_001
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:8-DFN(3x2)
- 技术参数:MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN
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AON4807_001参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款能够显著提升系统性能、简化设计流程的明星产品AON4807_001。这款由AOS精心打造的30V双P沟道MOSFET阵列,以其卓越的电气性能和紧凑的封装,正成为众多工程师在电源管理、负载开关和电机驱动等应用中的首选。它不仅代表着先进的技术,更承载着我们对高效、稳定解决方案的承诺,旨在帮助您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。
想象一下,在您的便携式设备中,需要高效、精准地控制多个电源轨的开关;或者在紧凑的工业模块中,需要驱动小型电机并确保极低的功耗与发热。AON4807_001正是为此类挑战而生。其双P沟道逻辑电平门设计,让您能够直接用微控制器轻松驱动,极大地简化了外围电路。高达4A的连续漏极电流和低至68毫欧的导通电阻,意味着在开关和传导过程中能量损失被降至最低,这不仅提升了整体能效,更直接延长了电池续航时间或降低了散热需求。从智能手机、平板电脑的电源分配,到无人机、机器人中的精密控制,再到各类智能穿戴设备的节能管理,它的身影无处不在,默默地为更流畅的用户体验和更可靠的产品运行保驾护航。
选择AON4807_001,就是选择了一份安心与超越。其宽广的工作温度范围(-55°C至150°C)确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作,无论是炎热的夏日户外还是寒冷的工业现场。超低的栅极电荷和输入电容特性,带来了更快的开关速度和更低的驱动损耗,让您的系统响应更加迅捷。尽管该型号目前已停产,但其卓越的设计和性能在特定应用和库存支持下依然极具价值。对于正在寻找可靠、高性能MOSFET解决方案的您,我们建议通过官方授权的AOS代理商咨询库存或获取功能相似的升级型号推荐。让AON4807_001所代表的AOS品质与创新精神,融入您的下一个伟大设计,共同开启高效、可靠的新篇章。
- 型号:AON4807_001
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-DFN(3x2)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 个 P 沟道(双)
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):68 毫欧 @ 4A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):10nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):290pF @ 15V
- 功率 - 最大值:1.9W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
- 供应商器件封装:8-DFN(3x2)
- AON4807_001的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























