AON2392

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗卓越的功率器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们向您隆重介绍一款能够重新定义您设计可能性的高性能N沟道MOSFETAON2392。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统性能、降低能耗、实现紧凑设计的强大引擎。凭借其出色的100V耐压和高达8A的连续电流能力，这颗芯片为您的应用注入了澎湃而稳定的动力源泉，让每一次能量转换都精准高效。

想象一下，在您的快充适配器中，它如何以极低的导通电阻（仅32毫欧）大幅减少热量产生，提升充电速度与安全性；在您的电动工具或无人机电池管理系统中，它如何凭借优异的开关特性确保动力输出的迅猛与平稳；在工业自动化设备的电机驱动或电源模块里，它又如何以宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和卓越的可靠性，应对严苛环境的挑战。无论是消费电子、通讯设备还是汽车电子领域，AON2392都能无缝融入，成为提升产品竞争力的秘密武器。

选择AON2392，就是选择了一份来自AOS AlphaSGT先进技术平台的品质承诺。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更低的驱动损耗和更高的开关频率，让您的系统设计更灵活、效率曲线更优。紧凑的8-DFN（2x2）封装在为您节省宝贵板级空间的同时，也提供了出色的散热性能。当您寻求稳定可靠的供应与技术支持时，遍布全球的AOS代理商网络随时准备着为您提供从选型到量产的全方位服务。立即将AON2392纳入您的设计，亲身体验它如何以卓越性能，为您的下一个创新项目保驾护航，开启高效节能的新篇章。

• 型号:AON2392
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 100V 8A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:840 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（2x2）
• 封装/外壳:8-PowerWFDFN
• AON2392的官网价格：3000:$0.33967，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。