AOW11N60

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心器件往往能成为您产品脱颖而出的关键。今天，我们向您隆重介绍AOW11N60，这颗来自AOS的N沟道功率MOSFET，正是为应对严苛的高压、大电流应用挑战而生。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统效率、增强产品稳定性的得力伙伴。凭借其卓越的600V耐压能力和高达11A的连续电流承载，它为您打开了通往更高效、更紧凑设计的大门，让能量转换过程损耗更低，响应更迅捷。

想象一下，在您熟悉的各类电源与电机驱动场景中，AOW11N60都能大显身手。无论是服务器电源、工业变频器，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，它都能轻松应对高压母线上的开关任务。其TO-262的封装形式，兼顾了优异的散热性能与通孔安装的可靠性，非常适合对功率密度和长期运行稳定性有高要求的场合。当您的设计需要在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作时，这颗芯片内置的坚固基因将确保性能始终如一，助您的产品从容应对各种环境挑战。

为何众多工程师在面临选型时，会毫不犹豫地选择AOW11N60？答案在于它精准平衡的性能与易用性。仅需10V的驱动电压，即可获得极低的导通电阻（典型值仅700毫欧），这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体能效。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性让开关速度更快，开关损耗显著降低，特别适合高频开关应用。选择它，就是选择了一份经过市场验证的可靠保障。若您需要获取更详细的技术支持或采购信息，我们的合作伙伴AOS中国代理将为您提供专业、及时的服务。让AOW11N60成为您下一个成功产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能新时代。

• 型号:AOW11N60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO262
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1990 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:272W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOW11N60的官网价格：1:$2.53000，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。