AOT160A60L

在追求极致能效与可靠性的电力电子领域，每一次设计突破都至关重要。今天，我们为您带来一款能够重新定义高性能开关应用的强大引擎AOT160A60L。这款来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的N沟道功率MOSFET，凭借其卓越的aMOS5技术平台，将高耐压、大电流与超低损耗完美融合，为您的高要求应用注入澎湃而稳定的动力源泉。它不仅是一颗元器件，更是您提升产品竞争力、实现能效升级的战略性选择。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器或高效开关电源（SMPS）等关键系统中，对功率开关器件的严苛考验无处不在。AOT160A60L正是为此而生。其高达600V的漏源电压和24A的连续漏极电流承载能力，为应对复杂的电压尖峰和负载波动提供了坚实保障。更令人印象深刻的是，它在10V驱动电压下，导通电阻（RdsOn）低至惊人的160毫欧，这意味着在导通期间的功率损耗被大幅削减，直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率。无论是提升功率密度，还是延长设备寿命，它都能游刃有余地胜任。

选择AOT160A60L，意味着您选择了一种经过验证的可靠性与卓越性能的平衡。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关过程更加迅速、干净，显著降低了开关损耗，让您的系统在高频下运行依然保持冷静高效。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，配合经典的TO-220封装带来的出色散热能力，确保了它在各种恶劣环境下都能稳定工作。当您需要可靠的技术支持和供应链保障时，遍布全球的AOS代理网络随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务。让AOT160A60L成为您下一个成功设计的核心，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:AOT160A60L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT160A60L的官网价格：1000:$1.84030，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。