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AON6230

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN(5x6)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 40V 57.5A/85A 8DFN
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AON6230参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界,一颗强大的“心脏”往往能决定整个系统的成败。今天,我们为您带来一款在性能与能效之间取得完美平衡的杰作AON6230。它不仅仅是一个N沟道MOSFET,更是您构建下一代高效能电源解决方案、驱动系统或负载开关的坚实基石。凭借其卓越的电气特性与坚固的物理设计,AON6230旨在帮助您的产品突破性能瓶颈,在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下,在您的服务器电源单元中,需要处理瞬间的高电流冲击;在您的电动工具或无人机电调中,要求驱动电机精准而迅猛;或者在您的工业自动化设备里,一个关键的负载开关必须毫秒级响应且发热极低。这正是AON6230大展身手的舞台。其高达40V的漏源电压和惊人的57.5A(环境温度)/85A(壳温)连续漏极电流能力,让它足以从容应对各种严苛的功率切换任务。无论是数据中心里7x24小时不间断运行的电源,还是户外移动设备中需要应对复杂工况的驱动电路,AON6230都能提供稳定、高效的能量通道,确保系统核心动力源源不绝。

那么,在众多同类产品中,为何AON6230能成为您的明智之选?答案在于它对“效率”二字的深刻诠释。其导通电阻(Rds(On))在10V驱动电压下低至惊人的1.44毫欧,这意味着在导通状态下,电能损耗被降至极低水平,直接转化为更低的发热量和更高的系统整体效率。更低的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)则确保了超快的开关速度,减少了开关损耗,让您的系统响应更加敏捷,尤其在高频应用中优势尽显。这颗芯片封装在紧凑的8-DFN(5x6)中,不仅节省了宝贵的PCB空间,其优异的散热特性更能保障在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时,遍布全球的AOS代理商网络随时准备为您服务,确保您的项目从设计到量产一路畅通。选择AON6230,就是选择了一份对高性能、高可靠性与卓越能效的承诺,它将助力您的创意,转化为市场上最具竞争力的产品。

  • 型号:AON6230
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-DFN(5x6)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 57.5A/85A 8DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:不适用于新设计
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):57.5A(Ta),85A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.44 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):114 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6050 pF @ 20 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):7.4W(Ta),104W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
  • AON6230的官网价格:3000:$1.17964,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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