AON6452L

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗卓越的功率器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们向您隆重介绍AON6452L，这颗来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的N沟道MOSFET，以其卓越的性能参数，正成为工程师们应对中高功率密度挑战的得力助手。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统能效、增强产品竞争力的强大引擎。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或DC-DC转换器中，需要一颗能够承受100V高压、高效处理电流的开关。这正是AON6452L大显身手的舞台。其高达26A（Tc）的连续漏极电流能力和低至25毫欧的导通电阻，意味着在导通时损耗极低，热量产生更少，让您的系统运行得更凉爽、更持久。无论是工业自动化设备中驱动电机平稳运转，还是在通信电源中实现高效能量转换，它都能提供稳定可靠的性能基石，确保您的终端产品在各种严苛环境下都能表现出色。

选择AON6452L，就是选择了一份经过验证的卓越与安心。它采用先进的SDMOS技术，在紧凑的8-DFN-EP封装内实现了功率与散热的最佳平衡，2W（Ta）至35W（Tc）的功率耗散能力为您的散热设计提供了充裕空间。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）让它无惧严寒酷暑，适应从消费电子到工业控制的广泛领域。虽然该型号已处于停产状态，但其经典的设计和可靠的性能使其在特定应用和库存市场中依然备受青睐。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的AOS一级代理进行采购，这不仅是品质的保障，更是项目顺利推进的坚实后盾。

• 型号:AON6452L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 6.5A/26A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Ta），26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6452L的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。