AON7262E

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗卓越的功率器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们向您隆重介绍一款能够重新定义性能标准的明星产品AON7262E。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统能效、增强产品竞争力的强大引擎。凭借其突破性的低导通电阻与卓越的开关性能，它能将能量损耗降至前所未有的低水平，让您的设计在激烈的市场竞争中脱颖而出，为用户带来更持久、更稳定的使用体验。

想象一下，无论是需要高效电能转换的服务器电源、通信基站，还是对空间和热管理要求严苛的笔记本电脑适配器、电动工具，甚至是蓬勃发展的新能源领域如太阳能逆变器、车载充电器，AON7262E都能游刃有余，成为核心功率开关的理想选择。其60V的耐压和高达34A（Tc）的连续电流能力，为各种中压大电流应用提供了坚实的保障。在紧凑的8DFN封装内，它实现了功率密度与散热性能的完美平衡，让您的产品设计更加灵活，性能更加澎湃。

选择AON7262E，就是选择了一份来自AOS尖端AlphaSGT技术的承诺。其低至6.2毫欧的导通电阻，意味着更低的传导损耗和更高的整体效率；优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速干净的开关动作，显著降低开关损耗和电磁干扰。这一切，都直接转化为更低的系统温升、更高的可靠性以及更长的使用寿命。我们深知本地化支持的重要性，因此通过值得信赖的AOS中国代理网络，我们能够为您提供从技术选型到量产支持的全方位服务，确保您的创新想法能够快速、顺利地转化为市场领先的产品。立即拥抱AON7262E，开启能效新纪元，让您的下一个设计项目赢在起点！

• 型号:AON7262E
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 21A/34A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1650 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），43W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• AON7262E的官网价格：1:$1.73000|5000:$0.43619，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。