AONR36326C

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域，一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们为您隆重介绍来自AOS的明星产品AONR36326C。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升系统性能、实现设计突破的得力引擎。它凭借卓越的电气特性和坚固的物理封装，旨在为您的应用注入澎湃动力与非凡稳定性，让每一次电流的开关都精准、高效、值得信赖。

想象一下，在您的手持设备、便携式电源、电机驱动或高密度DC-DC转换器中，AONR36326C正发挥着核心作用。其30V的漏源电压和高达12A的连续漏极电流能力，轻松应对主流低压大电流场景。无论是需要快速响应的负载开关，还是对效率锱铢必较的同步整流应用，它都能游刃有余。其紧凑的8-DFN-EP（3x3）封装，完美契合现代电子产品小型化、高集成的趋势，为您节省宝贵的PCB空间，让设计更优雅、布局更自由。

选择AONR36326C，就是选择了一份放心的承诺。其低至9.8毫欧的导通电阻（在10V Vgs下），意味着更低的导通损耗和更少的发热，直接提升了系统的整体能效和热管理能力。仅需4.5V的驱动电压即可实现优异的导通特性，使其与多种逻辑电平控制器轻松匹配，简化您的驱动电路设计。同时，高达20.5W（Tc）的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在严苛环境下的长期稳定运行，大幅提升了终端产品的耐用性和可靠性。我们强烈建议您通过官方AOS授权代理获取正品芯片和完整的技术支持，以确保项目顺利推进。

总而言之，AONR36326C集高性能、高可靠性与高集成度于一身，是工程师在面对效率挑战和空间限制时的理想解决方案。它不仅仅是一个组件，更是您实现产品差异化、赢得市场先机的战略伙伴。立即将AONR36326C纳入您的设计，亲身体验它如何以卓越性能，为您的创新蓝图增添坚实动力！

• 型号:AONR36326C
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A/12A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta），12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.8 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），20.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• AONR36326C的官网价格：5000:$0.18139，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。