AONR21357

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域，每一次选择都至关重要。今天，我们为您带来一款能够重新定义功率管理性能的卓越解决方案AONR21357。这款由AOS精心打造的P沟道MOSFET，不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的强大引擎。它集低导通电阻、高电流承载能力与卓越的散热性能于一身，旨在将能量损耗降至最低，让您的系统运行得更冷静、更持久、更高效。

想象一下，在您的下一款高端笔记本电脑、高性能服务器电源或紧凑型车载充电器中，AONR21357正扮演着能量流控核心的角色。其高达30V的漏源电压和惊人的34A（Tc）连续漏极电流能力，轻松应对严苛的负载切换与功率分配任务。无论是需要快速响应的负载开关应用，还是对空间和散热有极致要求的便携式设备，这颗芯片都能以仅7.8毫欧的超低导通电阻，确保电能几乎无损耗地通过，显著提升整机效率并延长电池续航。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更是为工业自动化、户外通信设备等复杂环境应用提供了坚如磐石的可靠性保障。

为何众多领先企业都将AONR21357作为首选？答案在于它无与伦比的综合价值。在4.5V的低驱动电压下即可实现优异性能，极大简化了您的驱动电路设计，节省了宝贵的PCB空间和BOM成本。采用先进的8-DFN-EP（3x3）封装，不仅实现了极小的占板面积，其裸露的焊盘设计更将热阻降至最低，让高达30W（Tc）的功率耗散变得轻松可控，彻底解决高功率密度设计中的散热难题。选择它，就是选择了一份安心与高效，意味着您的产品将拥有更长的寿命、更稳定的表现和更出色的市场口碑。若您正在寻找可靠的技术伙伴与供货支持，我们的AOS中国代理团队随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务，助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

• 型号:AONR21357
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2830 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• AONR21357的官网价格：1:$1.23000|5000:$0.29286，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。