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AON7430L

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 9A/20A 8DFN
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AON7430L参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,每一次选择都至关重要。今天,我们向您隆重介绍一款在中小功率开关应用中表现卓越的功率器件AON7430L。它不仅仅是一个N沟道MOSFET,更是您提升系统性能、简化设计流程、实现成本效益最大化的得力伙伴。凭借其出色的电气特性和坚固的物理设计,AON7430L正成为众多工程师在电源管理、电机驱动和负载开关等应用中的信心之选。

想象一下,在您的便携式设备中,需要一颗高效、紧凑的开关来管理电池供电;在您的电机控制板卡上,需要一个响应迅速、损耗极低的驱动核心;或者在您的DC-DC转换器中,渴望一个能显著提升整体效率的关键元件。这正是AON7430L大显身手的舞台。它30V的漏源电压和高达20A(Tc)的连续漏极电流能力,使其能够从容应对多种主流应用场景的严苛要求。无论是空间受限的消费类电子产品,还是对热管理有高要求的工业模块,其8-DFN-EP(3x3)的超紧凑封装都能完美融入,在方寸之间释放强大能量。

那么,为何众多领先的设计都倾向于选择AON7430L?答案在于它无与伦比的综合价值。首先,其极低的导通电阻(典型值仅12毫欧@10V Vgs)意味着更少的导通损耗,直接转化为更高的系统效率和更低的温升,让您的产品运行更凉爽、更持久。其次,优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)确保了快速的开关速度,减少了开关损耗,特别适合高频开关应用,让您的系统响应更加敏捷。再者,宽广的工作温度范围(-55°C至150°C)提供了卓越的环境适应性,保障了设备在各类条件下的稳定运行。我们理解,获得可靠的原厂技术支持与稳定的供货渠道同样关键,这正是AOS中国代理的价值所在,他们能为您提供从选型到量产的全方位支持。选择AON7430L,就是选择了一份经过市场验证的性能承诺,一个能助力您的产品在竞争中脱颖而出的强大引擎。

  • 型号:AON7430L
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 9A/20A 8DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A(Ta),20A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):12 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):17 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):910 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.7W(Ta),25W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-DFN-EP(3x3)
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • AON7430L的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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